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B65621J0100A048

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 1215
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P41X25N48AL=100 +-3%

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B65621J0100A048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長度：-
高度：0.492（12.50mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：13832
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：201
有效面積 (Ae) mm2：229
有效長度 (le) mm：60.4
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.264
初始磁導(dǎo)率 (μi)：2300
有效磁導(dǎo)率 (μe)：-
間隙：有缺口
容差：-
電感因數(shù) (Al)：-
直徑：1.614（41.00mm）
材料：N48
封裝：P 41 x 25
磁心類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：P41/25
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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