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B65517D0000R048

廠家:
  EPCOS
封裝:
 
數(shù)量:
 2145  
說明:
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P9X5N48 1300+30%-20%
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B65517D0000R048-圖片

B65517D0000R048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
控制特性:
寬度長度:-
高度:0.106(2.70mm)
表面:無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3:125
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2:-
有效面積 (Ae) mm2:10
有效長度 (le) mm:12.5
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1:1.25
初始磁導率 (μi):-
有效磁導率 (μe):1290
間隙:無缺口
容差:-20%,+30%
電感因數(shù) (Al):1.3 μH
直徑:0.366(9.30mm)
材料:N48
封裝:P 9 x 5
磁心類型:P(罐形磁芯)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:P9/5
系列:盒
品牌:EPCOS - TDK Electronics

以上是B65517D0000R048的詳細信息,包括B65517D0000R048廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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