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B65517D0200A048

廠家:
  EPCOS
封裝:
 
數(shù)量:
 90  
說明:
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P9X5 N48 200 + 3%-3%
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B65517D0200A048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
控制特性:
寬度長度:-
高度:0.106(2.70mm)
表面:無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3:125
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2:-
有效面積 (Ae) mm2:10
有效長度 (le) mm:12.5
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1:1.25
初始磁導(dǎo)率 (μi):-
有效磁導(dǎo)率 (μe):200
間隙:有缺口
容差:±3%
電感因數(shù) (Al):200 nH
直徑:0.366(9.30mm)
材料:N48
封裝:P 9 x 5
磁心類型:P(罐形磁芯)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:P9/5
系列:盒
品牌:EPCOS - TDK Electronics

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