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APTM60H23FT1G

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 6837
說明：: MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1

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APTM60H23FT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：4 N 通道（半橋）
FET 特點：標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：276 毫歐 @ 17A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：20A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：165nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：5316pF @ 25V
功率 - 最大：208W
安裝類型：底座安裝

以上是APTM60H23FT1G的詳細信息，包括APTM60H23FT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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