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APTM50DHM65TG

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP4
數(shù)量：: 2016
說明：: MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4

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APTM50DHM65TG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型2 N 溝道（非對稱橋）
FET 特點標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C78 毫歐 @ 25.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)500V
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs140nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C51A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 7000pF @ 25V
功率 - 最大390W
安裝類型底座安裝

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