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APTC60HM70BT3G

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數(shù)量:
 1806  
說明:
 MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
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APTC60HM70BT3G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

封裝封裝/外殼:SP3
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:250W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):700pF @ 25V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):259nC @ 10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):70 毫歐 @ 39A,10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):39A
漏源電壓(Vdss):600V
FET 功能:邏輯電平門
配置:4 N 溝道(半橋)
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:CoolMOS?
系列:托盤
品牌:Microchip Technology

以上是APTC60HM70BT3G的詳細(xì)信息,包括APTC60HM70BT3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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