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APTC60DDAM45T1G

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 1752
說明：: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

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APTC60DDAM45T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：SP1
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：250W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7200pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：150nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 3mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：45 毫歐 @ 24.5A，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：49A
漏源電壓（Vdss）：600V
FET 功能：超級結(jié)
配置：2 N 溝道（雙路降壓斬波器）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：CoolMOS?
系列：托盤
品牌：Microchip Technology

以上是APTC60DDAM45T1G的詳細(xì)信息，包括APTC60DDAM45T1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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