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APTC60AM45B1G

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數(shù)量:
 1783  
說明:
 MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
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APTC60AM45B1G-圖片

APTC60AM45B1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

封裝封裝/外殼:SP1
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:250W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):7200pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):150nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):45 毫歐 @ 24.5A,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):49A
漏源電壓(Vdss):600V
FET 功能:-
配置:3 N 溝道(相角 + 升壓斬波電路)
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:CoolMOS?
系列:散裝
品牌:Microchip Technology

以上是APTC60AM45B1G的詳細(xì)信息,包括APTC60AM45B1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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