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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > APT9F100S

APT9F100S

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: D3Pak
數(shù)量：: 2718
說明：

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APT9F100S PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：337W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2606 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.6 歐姆 @ 5A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1000 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：POWER MOS 8?
系列：管件
品牌：Microsemi Corporation

以上是APT9F100S的詳細信息，包括APT9F100S廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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