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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > APT80M60J

APT80M60J

廠家：: Microchip Technology
封裝：: SOT-227-4
數(shù)量：: 7900
說明：: MOSFET N-CH 600V 80A SOT-227

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APT80M60J PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 60A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)600V
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs600nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C80A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 24000pF @ 25V
功率 - 最大960W
安裝類型底座安裝

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