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APT8018JN

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: ISOTOP?
數(shù)量：: 1926
說明：

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APT8018JN PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：690W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：14000 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：700 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 5mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 20A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：800 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：POWER MOS IV?
系列：托盤
品牌：Microsemi Corporation

以上是APT8018JN的詳細信息，包括APT8018JN廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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