APT60N60SCSG/TR

廠家：: Microchip Technology
封裝：: TO-268-2
數(shù)量：: 10329
說明：: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：431W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7200 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：190 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 3mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：45 毫歐 @ 44A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：CoolMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Microchip Technology

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