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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：360W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3500 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：210 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：200 毫歐 @ 14A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：28A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：500 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：POWER MOS IV?
系列：管件
品牌：Microchip Technology
以上是APT5020BNFR的詳細信息，包括APT5020BNFR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
