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APT31M100B2

廠家：: Microchip Technology
封裝：: T-MAX-3
數(shù)量：: 3515
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 1000V 31A T-MAX

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APT31M100B2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C400 毫歐 @ 16A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs260nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C31A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 8500pF @ 25V
功率 - 最大1040W
安裝類(lèi)型通孔

以上是APT31M100B2的詳細(xì)信息，包括APT31M100B2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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