點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C570 毫歐 @ 11A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs185nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C22A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 5155pF @ 25V
功率 - 最大690W
安裝類型通孔

以上是APT12057B2FLLG的詳細(xì)信息，包括APT12057B2FLLG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

R6006ANDTL

IRF9640PBF-BE3

IPB240N03S4LR9ATMA1

IPD040N08NF2SATMA1

FDMC86260ET150

SIHA6N65E-E3

CSD18531Q5AT

IPB043N10NF2SATMA1

MCB200N06Y-TP

STH150N10F7-2