中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：310W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2950 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：130 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.1 歐姆 @ 5.25A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：10.5A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1000 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：POWER MOS IV?
系列：管件
品牌：Microchip Technology
以上是APT1001R1BN的詳細(xì)信息，包括APT1001R1BN廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
