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AOW11S65

廠家:
  Alpha & Omega Semiconductor Inc.
封裝:
 TO-262
數(shù)量:
 6588  
說明:
 MOSFET N-CH 650V 11A TO262
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AOW11S65-TO-262圖片

AOW11S65 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):198W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):646 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):13.2 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):399 毫歐 @ 5.5A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):11A(Tc)
漏源電壓(Vdss):650 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):不適用于新設(shè)計
包裝:aMOS?
系列:管件
品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

以上是AOW11S65的詳細信息,包括AOW11S65廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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