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ALD1121EPAL

廠家:
  Advanced Linear Devices
封裝:
 PDIP-8
數(shù)量:
 2709  
說(shuō)明:
 MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
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ALD1121EPAL-PDIP-8圖片

ALD1121EPAL PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:50
功率耗散:600 mW
最小工作溫度:0 C
封裝形式:PDIP-8
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 70 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):500 Ohms
漏極連續(xù)電流:3 mA
閘/源擊穿電壓:+/- 6.6 V
汲極/源極擊穿電壓:10 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Advanced Linear Devices

以上是ALD1121EPAL的詳細(xì)信息,包括ALD1121EPAL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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