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ALD110908SAL

廠家：: Advanced Linear Devices
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 7218
說(shuō)明：: MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

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ALD110908SAL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：10 ns
工廠包裝數(shù)量：50
功率耗散：500 mW
最小工作溫度：0 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.0014 S
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 70 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：500 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 mA
閘/源擊穿電壓：10.6 V
汲極/源極擊穿電壓：10 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Advanced Linear Devices

以上是ALD110908SAL的詳細(xì)信息，包括ALD110908SAL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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