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中文參數(shù)如下:
:
封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:704W(Tj)
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):28070pF @ 800V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):944nC @ 18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.4V @ 40mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):3.45 毫歐 @ 360A,18V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):379A(Tj)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
FET 功能:-
配置:6 個(gè) N 溝道
技術(shù):碳化硅(SiC)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:托盤(pán)
品牌:STMicroelectronics
以上是ADP360120W3的詳細(xì)信息,包括ADP360120W3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!