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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > 5LN01C-TB-E

5LN01C-TB-E

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SC-59-3/CP3
數(shù)量：: 4482
說明：: MOSFET SWITCHING DEVICE

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5LN01C-TB-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：190 ns
上升時(shí)間：42 ns
功率耗散：0.25 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1.57 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.18 S
下降時(shí)間：105 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
漏極連續(xù)電流：0.1 A
閘/源擊穿電壓：10 V
汲極/源極擊穿電壓：50 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是5LN01C-TB-E的詳細(xì)信息，包括5LN01C-TB-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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