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2SK1359(F)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-3 PN
數(shù)量:
 6606  
說(shuō)明:
 MOSFET N-Ch FET RDS 3.0 Ohm IDSS 300uA VDSS 1kV
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2SK1359(F) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:50
上升時(shí)間:18 ns
功率耗散:125 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-3 PN
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):3.8 Ohms
漏極連續(xù)電流:5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是2SK1359(F)的詳細(xì)信息,包括2SK1359(F)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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