2SJ665-DL-1EX

廠家：: onsemi
封裝：: TO-263-2
數(shù)量：: 5940
說明：: MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TA）
功率耗散（最大值）：65W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：4200 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：74 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：77 毫歐 @ 14A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：27A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：散裝
品牌：onsemi

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