點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：54 毫歐 @ 2.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：4.5A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：8.1nC @ 4V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：813pF @ 10V
功率 - 最大：200mW
安裝類型：表面貼裝

以上是2SJ624-T1B-AT的詳細(xì)信息，包括2SJ624-T1B-AT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

R6006ANDTL

IRF9640PBF-BE3

IPB240N03S4LR9ATMA1

IPD040N08NF2SATMA1

FDMC86260ET150

SIHA6N65E-E3

CSD18531Q5AT

IPB043N10NF2SATMA1

MCB200N06Y-TP

STH150N10F7-2