點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
安裝類(lèi)型：通孔
工作溫度：-
頻率 - 躍遷：400MHz
功率 - 最大值：800 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 500mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：1μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：240mV @ 100mA，2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：100 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5 A
晶體管類(lèi)型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：袋
品牌：onsemi

以上是2SC5706-P-E的詳細(xì)信息，包括2SC5706-P-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：

NSVBC143JPDXV6T1G

NSVBC123JDXV6T1G

NSVEMD4DXV6T1G

EMF5XV6T1G

NSVBC123JDXV6T5G

NSVBC143JPDXV6T5G

PUMD3-QZ

PUMH9-QH

PUMH9-QX

PUMH9-QZ