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2SB1124T-TD-E

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 PCP
數(shù)量:
 7171  
說明:
 兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
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2SB1124T-TD-E-PCP圖片

2SB1124T-TD-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應商器件:
封裝封裝/外殼:TO-243AA
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:150MHz
功率 - 最大值:500 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V
電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):700mV @ 100mA,2A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):3 A
晶體管類型:PNP
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌:onsemi

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