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2SA1680(TE6,F,M)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 LSTM
數(shù)量:
 6795  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP 50V 2A Transistor
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2SA1680(TE6,F,M) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
最大功率耗散:900 mW
直流電流增益 hFE 最大值:400
集電極連續(xù)電流:- 2 A
封裝形式:LSTM
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:40
增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz
最大直流電集電極電流:2 A
集電極—射極飽和電壓:- 50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 50 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 60 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是2SA1680(TE6,F,M)的詳細(xì)信息,包括2SA1680(TE6,F,M)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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