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2SA1313-Y(TE85L,F)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 S-Mini
數(shù)量:
 1521  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Bipolar Small-Signal Transistors
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2SA1313-Y(TE85L,F)-S-Mini圖片

2SA1313-Y(TE85L,F) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
包裝形式:Reel
最大功率耗散:200 mW
直流電流增益 hFE 最大值:120 at 100 mA at 1 V
封裝形式:S-Mini
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:120 at 100 mA at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:200 MHz
最大直流電集電極電流:0.5 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V
集電極—基極電壓 VCBO:50 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是2SA1313-Y(TE85L,F)的詳細(xì)信息,包括2SA1313-Y(TE85L,F)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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