點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：180MHz
功率 - 最大值：200 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 1mA，6V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 5mA，50mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：150 mA
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是2SA1179N6-CPA-TB-E的詳細(xì)信息，包括2SA1179N6-CPA-TB-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：

DCX142JH-13

DCX122TH-13

DCX142TH-13

DCX122LH-13

RN49A1(TE85L,F)

RN46A1(TE85L,F)

RN49A1FE(TE85L,F)

EMB10FHAT2R

RN2714,LF

ADC113TUQ-13