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2SA1145-O(TE6,F,M)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 LSTM
數(shù)量:
 16332  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 150V 0.05A
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2SA1145-O(TE6,F,M)-LSTM圖片

2SA1145-O(TE6,F,M) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
包裝形式:Reel
最大功率耗散:800 mW
直流電流增益 hFE 最大值:240
集電極連續(xù)電流:- 50 mA
封裝形式:LSTM
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:80
增益帶寬產(chǎn)品fT:200 MHz
最大直流電集電極電流:0.05 A
集電極—射極飽和電壓:- 150 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 150 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 150 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是2SA1145-O(TE6,F,M)的詳細信息,包括2SA1145-O(TE6,F,M)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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