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2SA1162GRT5LFT

廠家：: Toshiba
封裝：: S-Mini
數(shù)量：: 180
說明：: 兩極晶體管 - BJT Transistor

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2SA1162GRT5LFT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
包裝形式：Reel
最大功率耗散：150 mW
直流電流增益 hFE 最大值：400
集電極連續(xù)電流：- 150 mA
封裝形式：S-Mini
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min：200
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 50 V
晶體管極性：PNP
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SA1162GRT5LFT的詳細(xì)信息，包括2SA1162GRT5LFT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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