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2N6730

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: TO-237
數(shù)量：: 1387
說明：: 兩極晶體管 - BJT POWER TRANSISTOR

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2N6730 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：1 W
直流電流增益 hFE 最大值：250
集電極連續(xù)電流：- 1 A
封裝形式：TO-237
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 200 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：50 mA
增益帶寬產(chǎn)品fT：50 MHz
集電極—射極飽和電壓：- 0.5 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 100 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 100 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是2N6730的詳細信息，包括2N6730廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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