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2N6661-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-39
數(shù)量：: 585
說明：: MOSFET 90V 0.9A

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2N6661-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：100
功率耗散：6.25 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-205AD
安裝風格：Stud
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：90 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是2N6661-E3的詳細信息，包括2N6661-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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