日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > 2N6517CTA_Q

2N6517CTA_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92
數(shù)量：: 387
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

一、本商品被瀏覽0次.

2N6517CTA_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
集電極連續(xù)電流：0.5 A
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：20 at 1 mA at 10 V
增益帶寬產品fT：200 MHz
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—射極飽和電壓：350 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：350 V
集電極—基極電壓 VCBO：350 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是2N6517CTA_Q的詳細信息，包括2N6517CTA_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：