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2N5550TAR_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92
數(shù)量：: 8271
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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2N5550TAR_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
集電極連續(xù)電流：0.6 A
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60 at 1 mA at 5 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：300 MHz
最大直流電集電極電流：0.6 A
集電極—射極飽和電壓：140 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：140 V
集電極—基極電壓 VCBO：160 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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