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點(diǎn)擊查看BG 5412K E6327參考圖片 BG 5412K E6327 Infineon Technologies SOT-363 射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Ch MOSFET Tetrode
參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻MOSFET小信號(hào)晶體管，RoHS：是，配置：Single Dual Gate，晶體管極性：N-Channel，汲極/源...
BG 3123R E6327 Infineon Technologies SOT-363 射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻MOSFET小信號(hào)晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/...
點(diǎn)擊查看BG 3130 E6327參考圖片 BG 3130 E6327 Infineon Technologies SOT-363 射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻MOSFET小信號(hào)晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/...
BG 3130R E6327 Infineon Technologies SOT-363 射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻MOSFET小信號(hào)晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/...
點(diǎn)擊查看BG 3123 E6327參考圖片 BG 3123 E6327 Infineon Technologies SOT-363 射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻MOSFET小信號(hào)晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/...

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