| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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NE651R479A | NEC/CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓：- 4 V，漏極連續(xù)電流：1... | ||||||
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NE651R479A-A | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET | ||
| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|12dB|3.5 V|1A|-|50 mA|27dBm|8 V|-|4-SMD，扁平引線|79... | ||||||
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NE651R479A-EVPW19 | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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NE651R479A-EVPW24 | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.4 GHz | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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NE651R479A-EVPW26 | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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NE651R479A-EVPW35 | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 3.5 GHz | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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NE651R479A-T1-A | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET | ||
| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|12dB|3.5 V|1A|-|50 mA|27dBm|8 V|-|4-SMD，扁平引... | ||||||
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NE3508M04-T2-A | CEL | F4TSMM，M04 | 射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET | ||
| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|14dB|2 V|120mA|0.45dB|10 mA|18dBm|4 V|-|SOT-3... | ||||||
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NE3509M04-A | CEL | M04 | 射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET | ||
| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|17.5dB|2 V|60mA|0.4dB|10 mA|11dBm|4 V|-|SOT-343F|... | ||||||
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NE34018-64-A | NEC/CEL | SOT-343 | 射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp | ||
| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面貼裝型|SC-82A，... | ||||||
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NE34018-A | NEC/CEL | SOT-343 | 射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp | ||
| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面貼裝型|SC-82A，... | ||||||
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NE4210S01 | CEL | SMD | 射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET | ||
| 參數(shù)：CEL|帶|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13dB|2 V|15mA|0.5dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD|SMD... | ||||||
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NE4210S01-A | NEC/CEL | S0-1 | 射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：12 GHz，增益：13 dB，噪聲系數(shù)：0.5 dB，正向跨導(dǎo) gFS（... | ||||||
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NE4210S01-T1B | CEL | SMD | 射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET | ||
| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13dB|2 V|15mA|0.5dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD|SMD... | ||||||
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NE425S01 | NEC/CEL | S0-1 | 射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：12 GHz，增益：12 dB，噪聲系數(shù)：0.6 dB，正向跨導(dǎo) gFS（... | ||||||
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NE425S01-T1B | NEC/CEL | S0-1 | 射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：12 GHz，增益：12 dB，噪聲系數(shù)：0.6 dB，正向跨導(dǎo) gFS（... | ||||||
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NE3509M04-T2-A | CEL | M04 | 射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET | ||
| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|17.5dB|2 V|60mA|0.4d... | ||||||
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NE3510M04-A | CEL | M04 | 射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp | ||
| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|4GHz|16dB|2 V|97mA|0.45dB|15 mA|11dBm|4 V|-|SOT-343F|M... | ||||||
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NE3510M04-T2-A | CEL | M04 | 射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp | ||
| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|4GHz|16dB|2 V|97mA|0.45dB... | ||||||
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NE3511S02-A | CEL | S02 | 射頻GaAs晶體管 X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch | ||
| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|70mA|0.3dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD，扁平引線|S... | ||||||
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