| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SGH10N60RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶體管 600V/10A | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGH13N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGH15N120RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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SGH15N120RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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SGH15N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶體管 Dis Short Circuit Rated IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH15N60RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶體管 600V/15A | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH20N120RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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SGH20N120RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：... | ||||||
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SGH20N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 Dis Short Circuit Rated IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH20N60RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶體管 600V/20A | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGH23N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶體管 Dis High Perf IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH23N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGH25N120RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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SGH30N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 Dis Short Circuit Rated IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH30N60RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶體管 Dis Short Circuit Rated IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH40N60UFDM1TU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 600V/20A/WFRD | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2... | ||||||
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SGH40N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 Dis High Perf IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH40N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 Dis High Perf IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH5N120RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：... | ||||||
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SGH5N120RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：... | ||||||
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