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SGH40N60UFDM1TU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-3P
數(shù)量:
 7776  
說明:
 IGBT 晶體管 600V/20A/WFRD
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SGH40N60UFDM1TU-TO-3P圖片

SGH40N60UFDM1TU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:30
安裝風(fēng)格:Through Hole
最小工作溫度:- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic:40 A
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3P-3
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:160 W
柵極—射極漏泄電流:+/- 100 nA
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓:2.1 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是SGH40N60UFDM1TU的詳細(xì)信息,包括SGH40N60UFDM1TU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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