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圖片 型號 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看ISL6627IRZ-T參考圖片 ISL6627IRZ-T Intersil 10-DFN(3x3) 功率驅(qū)動器IC SYNCH BUCK MSFT 5V DRVR VR12 3X3
參數(shù):制造商:Intersil,RoHS:是,最大工作溫度:+ 85 C,安裝風(fēng)格:SMD/SMT,封裝形式:DFN EP,包裝形式:Reel,最小工作溫度:- 40...
點(diǎn)擊查看ISL6700IBZ參考圖片 ISL6700IBZ Intersil 8-SOIC 1,804 功率驅(qū)動器IC 75V/1 25A PEAK H-BRDG DRVR
參數(shù):制造商:Intersil,RoHS:是,產(chǎn)品:Half-Bridge Drivers,類型:Medium Frequency Low Cost, Half-Br...
點(diǎn)擊查看ISL6700IBZ-T參考圖片 ISL6700IBZ-T Intersil 8-SOIC 功率驅(qū)動器IC 75V 1.25A PEAK HALF BRDG DRVR
參數(shù):制造商:Intersil,產(chǎn)品種類: 功率驅(qū)動器IC,RoHS:是,產(chǎn)品:Half-Bridge Drivers,類型:High Side, Low Side,...
點(diǎn)擊查看ISL6700IR參考圖片 ISL6700IR Intersil 12-QFN(4x4) 功率驅(qū)動器IC HALF BRIDGE DUAL
參數(shù):制造商:Intersil,產(chǎn)品種類: 功率驅(qū)動器IC,RoHS:否,產(chǎn)品:Half-Bridge Drivers,類型:Medium Frequency Low...
點(diǎn)擊查看IXTX550N055T2參考圖片 IXTX550N055T2 Ixys PLUS247?-3 功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers,類型:TrenchT2 GigaMOS,上升時間:40 ns,下降時間:230 n...
點(diǎn)擊查看IXTX600N04T2參考圖片 IXTX600N04T2 Ixys PLUS247?-3 功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers,類型:TrenchT2 GigaMOS,上升時間:20 ns,下降時間:250 n...
IXS839AQ2 Ixys 10-QFN(3x3) 功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:Half-Bridge Drivers,類型:Synchronous Buck MOSFET Driver,上升時間:20...
IXS839AQ2T/R Ixys 10-QFN(3x3) 功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,類型:High Side/Low Side,上升時間:20 ns,下降時間:15 ns,電源電壓-最小:4.5 V,電源電流:4...
IXS839BQ2 Ixys 10-QFN(3x3) 功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:Half-Bridge Drivers,類型:Synchronous Buck MOSFET Driver,上升時間:20...
IXS839BQ2T/R Ixys 10-QFN(3x3) 功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,類型:High Side/Low Side,上升時間:20 ns,下降時間:15 ns,電源電壓-最小:4.5 V,電源電流:4...
點(diǎn)擊查看IXS839S1參考圖片 IXS839S1 Ixys 8-SOIC 功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:Half-Bridge Drivers,類型:Synchronous Buck MOSFET Driver,上升時間:20...
點(diǎn)擊查看IXS839S1T/R參考圖片 IXS839S1T/R Ixys 8-SOIC 功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,類型:High Side/Low Side,上升時間:20 ns,下降時間:15 ns,電源電壓-最。4.5 V,電源電流:4...
點(diǎn)擊查看IXTK550N055T2參考圖片 IXTK550N055T2 Ixys TO-264(IXTK) 功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers,類型:TrenchT2 GigaMOS,上升時間:40 ns,下降時間:230 n...
點(diǎn)擊查看IXTK600N04T2參考圖片 IXTK600N04T2 Ixys TO-264(IXTK) 功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers,類型:TrenchT2 GigaMOS,上升時間:20 ns,下降時間:250 n...
點(diǎn)擊查看IXTN550N055T2參考圖片 IXTN550N055T2 Ixys SOT-227-4,miniBLOC 功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers,類型:TrenchT2 GigaMOS,上升時間:40 ns,下降時間:230 n...
點(diǎn)擊查看IXTN600N04T2參考圖片 IXTN600N04T2 Ixys SOT-227-4,miniBLOC 877 功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers,類型:TrenchT2 GigaMOS,上升時間:20 ns,下降時間:250 n...
點(diǎn)擊查看IXI858S1參考圖片 IXI858S1 Ixys 8-SOIC 功率驅(qū)動器IC 0.12 Amps 20V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:Half-Bridge Drivers,類型:Gate Driver With Vreg and Charge Pump ...
點(diǎn)擊查看IXI858S1T/R參考圖片 IXI858S1T/R Ixys 8-SOIC 功率驅(qū)動器IC 0.12 Amps 20V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Reel,工廠包裝數(shù)量:2500,...
點(diǎn)擊查看IXI859S1參考圖片 IXI859S1 Ixys 8-SOIC 功率驅(qū)動器IC 0.12 Amps 20V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers,類型:Non-Inverting,電源電壓-最大:17 V,電源電壓-最。8.2...
點(diǎn)擊查看IXI859S1T/R參考圖片 IXI859S1T/R Ixys 8-SOIC 功率驅(qū)動器IC 0.12 Amps 20V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Reel,工廠包裝數(shù)量:2500,...

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