日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXTK600N04T2

IXTK600N04T2

廠家：: Ixys
封裝：: TO-264（IXTK）
數(shù)量：: 7371
說明：: 功率驅(qū)動(dòng)器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

IXTK600N04T2 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

商標(biāo)名：TrenchT2 GigaMOS
輸出電壓：40 V
輸出電流：600 A
輸出端數(shù)量：1
激勵(lì)器數(shù)量：Single
最小工作溫度：- 55 C
最大開啟延遲時(shí)間：40 ns
最大關(guān)閉延遲時(shí)間：90 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-264
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
最大功率耗散：1250 W
電源電流：200 A
下降時(shí)間：250 ns
上升時(shí)間：20 ns
類型：TrenchT2 GigaMOS
產(chǎn)品：MOSFET Gate Drivers
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTK600N04T2的詳細(xì)信息，包括IXTK600N04T2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：