Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎架構(gòu)中的電源，也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4544DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.5/5.7A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4544DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.5/5.7A 2.4W 35/45mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4554DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V, - 40 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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SI4558DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6A 2.4W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4558DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6A 2.4W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4558DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6A 2.4W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：6... | ||||||
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SI4558DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6A 2.4W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4559ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET N-AND P-CH 60V(D-S) | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4559ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4559EY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5/3.1A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：4... | ||||||
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SI4559EY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5/3.1A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4559EY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5/3.1A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：4... | ||||||
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SI4559EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5/3.1A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4559EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5/3.1A 2.4W 55/120mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4561DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 6.8/7.2A 35.5/35mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4561DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET N/P-Ch MOSFET 40V 35/35mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4562DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續(xù)電流：7... | ||||||
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SI4562DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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SI4562DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續(xù)電流：7... | ||||||
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SI4562DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 1... | ||||||
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