Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和汽車(chē)系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開(kāi)關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開(kāi)關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4892DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.4A 1.6W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4892DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30 Volt 12.4A 3.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4892DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 12.4A 3.1W 12mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4894BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 11,429 | MOSFET 30V 12V 1.4W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4894BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4894DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.5A 3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4894DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.5A 3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：12.5 A，... | ||||||
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SI4894DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 12.5A 3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：12.5 A，... | ||||||
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SI4894DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.5A 3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4896DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 9.5A 3.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：9.5 A，電... | ||||||
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SI4896DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 80V 9.5A 3.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4896DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 80V 9.5A 3.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：9.5 A，電... | ||||||
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SI4896DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 80V 9.5A 3.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4896DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 80V 9.5A 3.1W 16.5mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4900DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 5,400 | MOSFET 60V 5.3A 3.1W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4900DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 2,500 | MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4904DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 11,497 | MOSFET 40V 8.0A 3.25W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI4904DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 9,731 | MOSFET 40V 8.0A 3.25W 16mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI4906DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 40V(D-S) | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI4906DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 6.6A 3.1W 39mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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