| 圖片 |
型號(hào) |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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TP0610KL-TR1 |
Vishay/Siliconix |
TO-92 |
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MOSFET 60V 0.27A 0.8W 10ohm @ 4.5V |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... |
to-226_straightlead_sml.jpg)
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TP0610KL-TR1-E3 |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA（TO-92） |
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MOSFET 60V 0.27A 0.8W 10ohm @ 4.5V |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... |
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TP0610K-T1 |
Vishay/Siliconix |
SOT-23-3（TO-236） |
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MOSFET 60V 0.185A |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... |
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TP0610K-T1-E3 |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
522,834 |
MOSFET 60V 0.185A |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... |
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TP0610K-T1-GE3 |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
66,466 |
MOSFET 60V 0.185A 350mW 10ohm @ 4.5V |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續(xù)電流：0.185 A，電阻汲極... |
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TP0610L |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 60V 0.18A 0.8W |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.18 A，... |
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TP0610L-TR1 |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 60V 0.18A 0.8W |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.18 A，... |
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TP0610T |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 60V 0.12A 0.36W |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.12 A，... |
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TP2020L |
Vishay/Siliconix |
TO-92 |
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MOSFET 200V 20 OHM |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 ... |
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TN0201KL-TR1-E3 |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 20V 0.64A 0.35W 1.4ohm @ 4.5V |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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TN0201K-T1-E3 |
Vishay/Siliconix |
SOT-23-3（TO-236） |
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MOSFET 20V 0.42A 1.0Ohm |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... |
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TN0201L |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 20V 0.64A 0.8W |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.64 A，... |
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TN0201T |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 20V 0.39A |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.39 A，... |
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TN0205AD-T1 |
Vishay/Siliconix |
SOT-363-6 |
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MOSFET 20V 0.25A |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：0.25 A，電... |
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TN0205A-T1 |
Vishay/Siliconix |
SOT-323 |
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MOSFET USE 781-SI1302DL |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：250 mA，電... |
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TN0401L |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 40V 0.64A 0.8W |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.64 A，... |
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TN0601L |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 60V 0.47A 0.8W |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.39 A，... |
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TN0200K-T1-E3 |
Vishay/Siliconix |
SOT-23-3（TO-236） |
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MOSFET 20V 0.73A 0.35W 0.4ohm @ 4.5V |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... |
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TN0200T |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 20V 1.2A 0.35W |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：0.73 A，電... |
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TN0200TS |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 20V 1.2A 1W |
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| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：1.2 A，電阻... |
