Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI6441DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 8.0A 1.08W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6441DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 8.0A 1.75W 15mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6443DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | MOSFET 30V 8.8A 1.05W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6443DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | MOSFET 30V 8.8A 1.5W 12mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6447DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 3.2A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SI6459BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 60V 2.6A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6459BDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 60V 2.7A 1.5W 115mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6459DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | 9 | MOSFET 60V 2.6A 1.5W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6459DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 60V 2.6A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6463ADQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 7.4A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6463ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 7.4A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6463BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 7.5A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6463BDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 7.4A 1.5W 15mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：6.5 A，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極... | ||||||
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SI6463DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 7.5A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：6.5 A，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏... | ||||||
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SI6463DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 7.5A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：6.5 A，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏... | ||||||
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SI6465DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 8V 8.8A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI6465DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | MOSFET 8V 8.8A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI6465DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | MOSFET 8.0V 8.8A 1.5W 12mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI6466ADQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 8.1A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI6466ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | MOSFET 20V 8.1A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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