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SI6443DQ-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
數(shù)量：: 6651
說(shuō)明：: MOSFET 30V 8.8A 1.05W

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SI6443DQ-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI6443DQ-E3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：115 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：21 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：30 S
下降時(shí)間：68 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：12 mOhms
漏極連續(xù)電流：8.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI6443DQ-T1-E3的詳細(xì)信息，包括SI6443DQ-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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