Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SQD50N05-11L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 50V 50A 75W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SQD50N06-07L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 50A 136W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：50 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQD50N06-09L-GE3 | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQD50P04-09L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 40V 50A 136W P-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SQD50P04-13L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 40V 50A 83W P-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SQD50P06-15L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 50A 136W P-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：- 50 A，電阻汲... | ||||||
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SQR40N10-25-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 100V 40A 136W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQR50N03-06P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 30V 50A 83W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SQR50N06-07L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 50A 136W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：50 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQS400EN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 40V 16A 62.5W N-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：16 A，電阻汲極/... | ||||||
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SQS401EN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch Automotive | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：- 16 A，電阻汲... | ||||||
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SQS460EN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 60V 8A 39W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SQS462EN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1212-8 | MOSFET 60V 8A 33W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續(xù)電流：8 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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SQM60N06-15-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 60V 60A 100W 15mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SD214DE-2 | Vishay/Siliconix | TO-206AF | MOSFET 30V 50mA 0.3W 45ohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 40 V... | ||||||
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SI6404DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 11A 1.75W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6404DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | MOSFET 30V 11A 1.75W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6404DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | MOSFET 30V 11A 1.75W 9.0mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI6410DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 7.8A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI6410DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 7.8A 1.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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