Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IRFB17N50LPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 2,526 | MOSFET N-Chan 500V 16 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB17N60K | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 17 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB17N60KPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 17 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB18N50K | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 17 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB18N50KPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 2,114 | MOSFET N-Chan 500V 17 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB20N50K | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 500V 20 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB20N50KPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 20 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB9N30APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 300V 30 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：300 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB9N60A | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB9N60APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 2,449 | MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB9N65A | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB9N65APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 958 | MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBA22N50A | Vishay/Siliconix | TO-273AA | MOSFET N-Chan 500V 24 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBA22N50APBF | Vishay/Siliconix | Super-220? | MOSFET N-Chan 500V 24 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC20 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC20L | Vishay/Siliconix | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC20LPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3 | MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC20PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 10,023 | MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC20S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC20SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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