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IRFB18N50K

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 3303
說明：: MOSFET N-Chan 500V 17 Amp

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IRFB18N50K PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：45 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：60 ns
功率耗散：220 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：30 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.29 Ohms
漏極連續(xù)電流：17 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFB18N50K的詳細(xì)信息，包括IRFB18N50K廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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