Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IRLZ24S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLZ24SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp 100mohm @ 5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLZ34 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 30 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLZ34PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 12,672 | MOSFET N-Chan 60V 30 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLZ34S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 30 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLZ44 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLZ44PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 272 | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLZ44S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLZ44SPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLZ44STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLZ44STRLPBF | Vishay/Siliconix | SMD-220 | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLZ44STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLZ44STRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRF510 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510L | Vishay/Siliconix | TO-262-3 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 60,541 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 34,392 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 500 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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